以碳化硅和氮化鎵為主的第三代半導體，是繼硅材料之后最有前景的半導體材料之一。

其中，碳化硅是第三代半導體的核心材料，主要應用于以5G通信、國防軍工、航空航天為代表的射頻領域和以新能源汽車、"新基建”為代表的電力電子領域。

近年來，碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)市場快速發(fā)展并已迎來爆發(fā)期，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)成為資本熱捧的風口，華為哈勃就是其中之一。

華為：碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點將至

2021年9月，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，表示未來十年是第三代功率半導體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。而碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點臨近，市場潛力將被充分挖掘。

白皮書中指出，新型功率半導體應用需求大幅提升，對能源輸送和控制的安全、高效、智能等方面提出更高的要求。這些都需要通過電力電子化設備進行運行、補償、控制。

目前這些設備中所使用的基本都還是硅基器件，而硅基器件的參數(shù)性能已接近其材料的物理極限，無法擔負起未來大規(guī)模清潔能源生產(chǎn)傳輸和消納吸收的重任，節(jié)能效果也接近極限。

以碳化硅為代表的第三代半導體功率芯片和器件，以其高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性，能夠大幅提升各類電力電子設備的能量密度，降低成本造價，增強可靠性和適用性，提高電能轉換效率，降低損耗。

光伏、風電等新能源發(fā)電、直流特高壓輸電、新能源汽車、軌道交通、工業(yè)電源、民用家電等領域具有極大的電能高效轉換需求，而新型功率半導體在則適應了這一需求趨勢，未來十年是第三代功率半導體的創(chuàng)新加速期，滲透率將全面提升。

華為：投資滲透碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈

華為對第三代半導體之重視不言而喻。旗下華為哈勃自成立以來，在半導體領域的擴張勢不可擋。而其中的一個重點就是第三代半導體。據(jù)不完全統(tǒng)計，至今，華為哈勃投資碳化硅相關企業(yè)有5家，遍布碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，分別為山東天岳、北京天科合達、瀚天天成、東莞天域半導體和特思迪。

其中，山東天岳已成功上市，成為國產(chǎn)碳化硅第一股。公司目前能夠供應2英寸~6英寸的單晶襯底，在國內(nèi)半絕緣型碳化硅襯底領域穩(wěn)坐第一把交椅。在國際上地位也不容小覷，據(jù)相關統(tǒng)計，2019/2020年，天岳先進已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場世界前三。

天科合達于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，為全球碳化硅晶片的主要生產(chǎn)商之一，公司主要產(chǎn)品為4英寸和6英寸碳化硅晶片，并已啟動8英寸晶片研發(fā)工作。去年10月，天科合達碳化硅襯底擴建項目，投資額為1.5億元，年產(chǎn)能3萬片。

瀚天天成是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售碳化硅外延晶片于一體的中美合資高新技術企業(yè)。公司于2011年在廈門成立，是我國第一大碳化硅半導體純外延晶片生產(chǎn)商，也是國內(nèi)首家提供商業(yè)化4英寸和6英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)商。公司碳化硅產(chǎn)業(yè)園三期項目計劃在今年內(nèi)啟動建設，產(chǎn)能規(guī)模將達140萬片。

天域半導體成立于2009年，公司股東榜云集華為哈勃、比亞迪等“大咖”。公司是國內(nèi)最早實現(xiàn)6英寸外延晶片量產(chǎn)的企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸碳化硅工藝關鍵技術。今年4月，天域半導體8英寸碳化硅外延片項目落地，新增產(chǎn)能達100萬片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線；8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)業(yè)化關鍵技術的研發(fā)；6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)和銷售。

特思迪成立于2020年3月，是一家半導體設備初創(chuàng)企業(yè)，專注于半導體領域高質(zhì)量表面加工設備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，重點針對化合物半導體襯底材料、半導體器件、先進封裝、MEMS等領域，提供減薄、拋光、CMP的系統(tǒng)解決方案和工藝設備。